⚠️ საიტი დამუშავების პროცესშია.

ფიზიკა

  • SiPM-ის დახასიათებისთვის LED-ზე დაფუძნებული კალიბრაციის სისტემა
    მესტვირიშვილი ალექსი, ბაღათურია იური, ლომიძე ირაკლი, ლომიძე დავით, ტორიაშვილი თენგიზ, იაშვილი აბესალომ, წამალაიძე ზვიადი
  • ნანომასალებზე დაფუძნებული ორშრიანი მიკროტალღური შთამნთქმელი დანაფარების თვისებების ანალიზი
    მუშკუდიანი გიორგი, შამანაური ლანა, დიდებაშვილი ბეჟან
  • კვანტური სისტემების დეტალური ანალიზი და ხარისხის კონტროლის მნიშვნელობა
    ქურდაძე მარინა, მურჯიკნელი გივი
  • ვერცხლისწყლის მგრძნობიარე სენსორის კონსტრუქციაში მყარი დიელექტრიკული ფუძეშრის პოლიმერული ფუძეშრით ჩანაცვლება
    ხაჩიძე თენგიზ, ხაჩიძე ნიკოლოზ
  • ელექტრომაგნიტური ველები: თანამედროვე სამეცნიერო ხედვები
    ნოზაძე თამარ
  • ელექტრონული სტრუქტურა და მუხტის ლოკალიზაცია გალიუმ-ალუმინის ოქსიდურ მოდელში: პირველად პრინციპებზე დაფუძნებული კვლევა
    მაჭავარიანი ზაალ
  • გაფანტვის ამოცანა სავალენტო ელექტრონის მოდელისპოტენციალისათვის
    ნადარეიშვილი თეიმურაზ, ხელაშვილი ანზორ
  • ჩერნობილის კატასტროფა ბირთვული რეაქტორების ფიზიკის თვალსაზრისით
    იმნაძე პლატონ
  • Влияние высокопроводящих разупорядоченных областей на кинетику радиационных дефектов в облученных высокоэнергетическими протонами кристаллах n-Si-iInfluence of Highly Conductive Disordered Regions on Kinetics of Radiation Defects Annealing in n-Si Crystals Irradiated with High-Energy Protons
    ფაღავა თეიმურაზ, ბერიძე მანანა, ხოჭოლავა დარეჯან, შოგირაძე მარინე, ტურაშვილი ლალი, ჟღენტი მაია
  • ამოცანები ატომურ ფიზიკაში
    გოჩიტაშვილი მალხაზ