ფიზიკა
ჯაფარიძე გიორგი
ფიზიკა
×
- ავტორი:
გიორგი ჯაფარიძე
- ავტორ-შემდგენელი:
როინ მეტრეველი
- თანაავტორი:
- მთავარი რედაქტორი:
- რედაქტორი:
- პროექტის ხელმძღვანელი:
- დარგი:
ფიზიკა
- გამოცემის სახეობა:
წიგნი
- პერიოდული ლიტერატურა: წიგნი-კრებული
- გამოცემის სახელწოდება: ქართული მეცნიერება აკადემიის 85-ე წლისთავზე
- ნომერი:
-
გამოცემის თარიღი:
01.01.2026
- გამოცემის ადგილი: თბილისი
- გამომცემლობა: საქართველოს მეცნიერებათა ეროვნული აკადემია
- ელ. ვერსიის ბმული:
-
ფაილი:
SiPM-ის დახასიათებისთვის LED-ზე დაფუძნებული კალიბრაციის სისტემა
მესტვირიშვილი ალექსი, ბაღათურია იური, ლომიძე ირაკლი, ლომიძე დავით, ტორიაშვილი თენგიზ, იაშვილი აბესალომ, წამალაიძე ზვიადი
SiPM-ის დახასიათებისთვის LED-ზე დაფუძნებული კალიბრაციის სისტემა
×
- ავტორი:
ალექსი მესტვირიშვილი;
იური ბაღათურია;
ირაკლი ლომიძე;
დავით ლომიძე;
თენგიზ ტორიაშვილი;
აბესალომ იაშვილი;
ზვიადი წამალაიძე
- ავტორ-შემდგენელი:
დავით გურგენიძე
- თანაავტორი:
- მთავარი რედაქტორი:
- რედაქტორი:
- პროექტის ხელმძღვანელი:
- დარგი:
ფიზიკა
- გამოცემის სახეობა:
პერიოდული გამოცემა
- პერიოდული ლიტერატურა: კრებული
- გამოცემის სახელწოდება: ტექნიკური უნივერსიტეტის შრომები
- ნომერი: N2(540)
-
გამოცემის თარიღი:
01.01.2026
- გამოცემის ადგილი: თბილისი
- გამომცემლობა: საქართველოს ტექნიკური უნივერსიტეტი
- ელ. ვერსიის ბმული:
-
ფაილი:
ნანომასალებზე დაფუძნებული ორშრიანი მიკროტალღური შთამნთქმელი დანაფარების თვისებების ანალიზი
მუშკუდიანი გიორგი, შამანაური ლანა, დიდებაშვილი ბეჟან
ნანომასალებზე დაფუძნებული ორშრიანი მიკროტალღური შთამნთქმელი დანაფარების თვისებების ანალიზი
×
- ავტორი:
გიორგი მუშკუდიანი;
ლანა შამანაური;
ბეჟან დიდებაშვილი
- ავტორ-შემდგენელი:
- თანაავტორი:
- მთავარი რედაქტორი:
- რედაქტორი:
- პროექტის ხელმძღვანელი:
- დარგი:
ფიზიკა
- გამოცემის სახეობა:
პერიოდული გამოცემა
- პერიოდული ლიტერატურა: კრებული
- გამოცემის სახელწოდება: მეცნიერება და ტექნოლოგიები = Science and technologies = Наука и технологии : სამეცნიერო რეფერირებადი ჟურნალი
- ნომერი: N 1(750)
-
გამოცემის თარიღი:
01.01.2026
- გამოცემის ადგილი: თბილისი
- გამომცემლობა: საქართველოს ტექნიკური უნივერსიტეტი
- ელ. ვერსიის ბმული:
-
ფაილი:
კვანტური სისტემების დეტალური ანალიზი და ხარისხის კონტროლის მნიშვნელობა
ქურდაძე მარინა, მურჯიკნელი გივი
კვანტური სისტემების დეტალური ანალიზი და ხარისხის კონტროლის მნიშვნელობა
×
- ავტორი:
მარინა ქურდაძე;
გივი მურჯიკნელი
- ავტორ-შემდგენელი:
თამარ ხახუტაშვილი
- თანაავტორი:
- მთავარი რედაქტორი:
- რედაქტორი:
- პროექტის ხელმძღვანელი:
- დარგი:
ფიზიკა
- გამოცემის სახეობა:
ელექტრონული გამოცემა
- პერიოდული ლიტერატურა: კრებული
- გამოცემის სახელწოდება: ქართველი მეცნიერები (Georgian Scientists: journal of Sciences)
- ნომერი: ტ.8/2
-
გამოცემის თარიღი:
01.01.2026
- გამოცემის ადგილი: თბილისი
- გამომცემლობა: ასოციაცია მეცნიერებისათვის
- ელ. ვერსიის ბმული:
-
ფაილი:
ვერცხლისწყლის მგრძნობიარე სენსორის კონსტრუქციაში მყარი დიელექტრიკული ფუძეშრის პოლიმერული ფუძეშრით ჩანაცვლება
ხაჩიძე თენგიზ, ხაჩიძე ნიკოლოზ
ვერცხლისწყლის მგრძნობიარე სენსორის კონსტრუქციაში მყარი დიელექტრიკული ფუძეშრის პოლიმერული ფუძეშრით ჩანაცვლება
×
- ავტორი:
თენგიზ ხაჩიძე;
ნიკოლოზ ხაჩიძე
- ავტორ-შემდგენელი:
თამარ ხახუტაშვილი
- თანაავტორი:
- მთავარი რედაქტორი:
- რედაქტორი:
- პროექტის ხელმძღვანელი:
- დარგი:
ფიზიკა
- გამოცემის სახეობა:
ელექტრონული გამოცემა
- პერიოდული ლიტერატურა: კრებული
- გამოცემის სახელწოდება: ქართველი მეცნიერები (Georgian Scientists: journal of Sciences)
- ნომერი: ტ.8/1
-
გამოცემის თარიღი:
01.01.2026
- გამოცემის ადგილი: თბილისი
- გამომცემლობა: ასოციაცია მეცნიერებისათვის
- ელ. ვერსიის ბმული:
-
ფაილი:
ელექტრომაგნიტური ველები: თანამედროვე სამეცნიერო ხედვები
ნოზაძე თამარ
ელექტრომაგნიტური ველები: თანამედროვე სამეცნიერო ხედვები
×
- ავტორი:
თამარ ნოზაძე
- ავტორ-შემდგენელი:
თამარ ხახუტაშვილი
- თანაავტორი:
- მთავარი რედაქტორი:
- რედაქტორი:
- პროექტის ხელმძღვანელი:
- დარგი:
ფიზიკა
- გამოცემის სახეობა:
ელექტრონული გამოცემა
- პერიოდული ლიტერატურა: კრებული
- გამოცემის სახელწოდება: ქართველი მეცნიერები (Georgian Scientists: journal of Sciences)
- ნომერი: ტ.8/1
-
გამოცემის თარიღი:
01.01.2026
- გამოცემის ადგილი: თბილისი
- გამომცემლობა: ასოციაცია მეცნიერებისათვის
- ელ. ვერსიის ბმული:
-
ფაილი:
ელექტრონული სტრუქტურა და მუხტის ლოკალიზაცია გალიუმ-ალუმინის ოქსიდურ მოდელში: პირველად პრინციპებზე დაფუძნებული კვლევა
მაჭავარიანი ზაალ
ელექტრონული სტრუქტურა და მუხტის ლოკალიზაცია გალიუმ-ალუმინის ოქსიდურ მოდელში: პირველად პრინციპებზე დაფუძნებული კვლევა
×
- ავტორი:
ზაალ მაჭავარიანი
- ავტორ-შემდგენელი:
- თანაავტორი:
- მთავარი რედაქტორი:
- რედაქტორი:
- პროექტის ხელმძღვანელი:
- დარგი:
ფიზიკა
- გამოცემის სახეობა:
სიმპოზიუმის მასალები
- პერიოდული ლიტერატურა: საკონფერენციო მასალები
- გამოცემის სახელწოდება: ივანე ჯავახიშვილის დაბადებიდან 150-ე წლისთავისადმი მიძღვნილი საერთაშორისო სამეცნიერო კონფერენცია
- ნომერი:
-
გამოცემის თარიღი:
01.01.2026
- გამოცემის ადგილი: თბილისი
- გამომცემლობა: ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი
- ელ. ვერსიის ბმული:
-
ფაილი:
გაფანტვის ამოცანა სავალენტო ელექტრონის მოდელისპოტენციალისათვის
ნადარეიშვილი თეიმურაზ, ხელაშვილი ანზორ
გაფანტვის ამოცანა სავალენტო ელექტრონის მოდელისპოტენციალისათვის
×
- ავტორი:
თეიმურაზ ნადარეიშვილი;
ანზორ ხელაშვილი
- ავტორ-შემდგენელი:
- თანაავტორი:
- მთავარი რედაქტორი:
- რედაქტორი:
- პროექტის ხელმძღვანელი:
- დარგი:
ფიზიკა
- გამოცემის სახეობა:
სიმპოზიუმის მასალები
- პერიოდული ლიტერატურა: საკონფერენციო მასალები
- გამოცემის სახელწოდება: ივანე ჯავახიშვილის დაბადებიდან 150-ე წლისთავისადმი მიძღვნილი საერთაშორისო სამეცნიერო კონფერენცია
- ნომერი:
-
გამოცემის თარიღი:
01.01.2026
- გამოცემის ადგილი: თბილისი
- გამომცემლობა: ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი
- ელ. ვერსიის ბმული:
-
ფაილი:
ჩერნობილის კატასტროფა ბირთვული რეაქტორების ფიზიკის თვალსაზრისით
იმნაძე პლატონ
ჩერნობილის კატასტროფა ბირთვული რეაქტორების ფიზიკის თვალსაზრისით
×
- ავტორი:
პლატონ იმნაძე
- ავტორ-შემდგენელი:
ლალი ბაქრაძე
- თანაავტორი:
- მთავარი რედაქტორი:
- რედაქტორი:
- პროექტის ხელმძღვანელი:
- დარგი:
ფიზიკა
- გამოცემის სახეობა:
წიგნი
- პერიოდული ლიტერატურა:
- გამოცემის სახელწოდება:
- ნომერი:
-
გამოცემის თარიღი:
01.01.2026
- გამოცემის ადგილი: თბილისი
- გამომცემლობა:
- ელ. ვერსიის ბმული:
-
ფაილი:
Влияние высокопроводящих разупорядоченных областей на кинетику радиационных дефектов в облученных высокоэнергетическими протонами кристаллах n-Si-iInfluence of Highly Conductive Disordered Regions on Kinetics of Radiation Defects Annealing in n-Si Crystals Irradiated with High-Energy Protons
ფაღავა თეიმურაზ, ბერიძე მანანა, ხოჭოლავა დარეჯან, შოგირაძე მარინე, ტურაშვილი ლალი, ჟღენტი მაია
Влияние высокопроводящих разупорядоченных областей на кинетику радиационных дефектов в облученных высокоэнергетическими протонами кристаллах n-Si-iInfluence of Highly Conductive Disordered Regions on Kinetics of Radiation Defects Annealing in n-Si Crystals Irradiated with High-Energy Protons
×
- ავტორი:
თეიმურაზ ფაღავა;
მანანა ბერიძე;
დარეჯან ხოჭოლავა;
მარინე შოგირაძე;
ლალი ტურაშვილი;
მაია ჟღენტი
- ავტორ-შემდგენელი:
- თანაავტორი:
- მთავარი რედაქტორი:
- რედაქტორი:
- პროექტის ხელმძღვანელი:
- დარგი:
ფიზიკა
- გამოცემის სახეობა:
პერიოდული გამოცემა
- პერიოდული ლიტერატურა: ჟურნალი
- გამოცემის სახელწოდება: ქართველი მეცნიერები (Georgian Scientists: journal of Sciences)
- ნომერი: ტ.VIII/N2
-
გამოცემის თარიღი:
01.01.2026
- გამოცემის ადგილი: თბილისი
- გამომცემლობა: Association for Science
- ელ. ვერსიის ბმული:
-
ფაილი: