⚠️ საიტი დამუშავების პროცესშია.

ფიზიკა

  • Dynamics and Properties of Laser-Produced Uranium Plasma-ლაზერული გამოსხივებით შექმნილი ურანული პლაზმის დინამიკა და თვისებები
    თაგვიაშვილი მ, ბერეჟიანი ვ, ჭიჭინაძე ვახტანგ
  • Study of Surface Electric Field Effect on Raman Scattering in GaP-ზედაპირული ელექტული ველით ინუცირებული რამანის გაბნევა GaR-ში
    გოთოშია სერგო, გოთოშია ლამარა
  • On the Development of Kelvin-Helmholtz Instability in Compressible Fluids-კუმშვად სითხეებში კელვინ-ჰელმჰოლცის არამდგრადობის განვითარების შესახებ
    ბერიშვილი ზაურ, თოლორაია ნატო, კირცხალია ვლადიმერ
  • Effect of Correct Coulomb Asymptotic in Reactions (e, 2e)-სწორი კულონური ასიმპტოტიკის როლი (e,2e)რეაქციებში
    მებონია ჯ, სხირტლაძე გ
  • On Redshift of Galaxies Radiation-გალაქტიკების გამოსხივების წითელი წანაცვლების შესახებ
    ჯიბლაძე მერაბ
  • On the Study of ATP-ase and Non-ATP-ase B-Lipoproteins-ატფ-აზური და არა-ატფ-აზური B-ლიპოპროტეინების შესწავლისათვის
    გოგორიშვილი ჯემალ, ზაალიშვილი მ., ჯაფარიძე ნ., გაჩეჩილაძე ნელი
  • KINETICS OF MULTIVACANT RADIATION DEFECTS FORMATION IN n-TYPE SILICON CRYSTALS-მრავალვაკანსიანი რადიაციული დეფექტების წარმოქმნის კინეტიკა n-ტიპის სილიციუმის კრისტალებში
    ფაღავა თ, ხარაშვილი ო, მაისურაძე ნ, მწყერაძე გ, ქუთელია ელგუჯა
  • PHYSICAL MECHANISM OF EXPANSION OF SEMICONDUCTORS UNDER THE LIGHTING ACTION-სინათლის მოქმედებით ნახევარგამტარების გაფართოების ფიზიკური მექანიზმი
    გერასიმოვი ალექსი, გოგუა ზურაბ, გოგუა გ
  • PULSE-PHOTON ANNEALING OF SILICON IMPLANTED BY IONS Ar+-Ar—ის იონებით იმპლანტირებული სილიციუმის იმპულსურ-ფოტონური გამოწვა
    ჯიბუტი ზურაბ, დოლიძე ნუგზარ, კუპრავა მ, ფხაკაძე მ, სიხუაშვილი ნ, შირიაპოვი ი
  • THE STUDY OF TEMPERATURE REGIMES OF LOW-POWER NUCLEAR FACILITY WITH NATURAL CIRCULATION OF COOLANT-გამაცივებლის ბუნებრივ ცირკულაციაზე დამყარებული მცირე სიმძლავრის ბირთვული დანადგარის თერმული რეჟიმების შესწავლა
    აბრამიძე შუქური, ქათამაძე ნოე, კიკნაძე გ, ნაბახტიანი გიორგი, რაზმაძე მ, როსტომაშვილი ზაზა, სარალიძე ზურაბ